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    閃迪推256GB內(nèi)存 新款UFS 2.1和eMMC 5.1發(fā)布

       2017-12-06 2420
    導(dǎo)讀

      隨著現(xiàn)在手機(jī)、平板等大儲(chǔ)存需求的日益增多,相關(guān)的芯片生產(chǎn)廠商,也在升級(jí)自身的產(chǎn)品線,比如WesternDigital(西部數(shù)據(jù))今天

       隨著現(xiàn)在手機(jī)、平板等大儲(chǔ)存需求的日益增多,相關(guān)的芯片生產(chǎn)廠商,也在升級(jí)自身的產(chǎn)品線,比如Western Digital(西部數(shù)據(jù))今天推出了新一代iNAND嵌入式閃存芯片產(chǎn)品,分別支持UFS和eMMC兩種標(biāo)準(zhǔn)類型,均基于SanDisk的64層3D堆疊技術(shù),容量為256GB。

      單從性價(jià)比方面考慮,iNAND 7550支持eMMC5.1標(biāo)準(zhǔn),連續(xù)寫入速度260MB/s,隨機(jī)讀取20K、寫入15K。這個(gè)表現(xiàn)力中規(guī)中矩。

      為了滿足未來發(fā)展的5G網(wǎng)絡(luò)時(shí)代需求,據(jù)詳細(xì)數(shù)據(jù)顯示,iNAND 8521支持UFS2.1,第五代智能SLC技術(shù)(小容量SLC做緩存),連續(xù)寫入速度比當(dāng)下的iNAND 7232(eMMC 5.1)提升了1倍(600MB/s),隨機(jī)讀取更是快了10倍。

      大儲(chǔ)存是未來的發(fā)展趨勢(shì),隨著更多廠商生產(chǎn)大儲(chǔ)存芯片,說不定手機(jī)廠商未來采購價(jià)也會(huì)呈現(xiàn)下跌趨勢(shì),消費(fèi)者也會(huì)獲得一些利益。

     
    (文/小編)
     
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