男主养女主到十六岁要了她_亚洲一线二线三线suv_欧美人禽性动交异族另类_777久久人妻少妇嫩草av_超级yin荡的高中女h文校园_国产999精品久久久久久_99精产国品一二三产区区别_乱伦综合免费精品_日韩欧美~中文字幕黄

  • 全國 [切換]
  • 億企商貿(mào)

    掃一掃關(guān)注

    中國3D NAND存儲器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展

       2017-02-18 2520
    導(dǎo)讀

      近日,由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱長江存儲)與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3DNAND

       近日,由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。

      據(jù)長江存儲CEO楊士寧在IC咖啡首屆國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會(ICTech Summit 2017)上介紹,32層3D NAND芯片順利通過電學(xué)特性等各項(xiàng)指標(biāo)測試,達(dá)到預(yù)期要求。

      該款存儲器芯片由長江存儲與微電子所三維存儲器研發(fā)中心聯(lián)合開發(fā),在微電子所三維存儲器研發(fā)中心主任、長江存儲NAND技術(shù)研發(fā)部項(xiàng)目資深技術(shù)總監(jiān)霍宗亮的帶領(lǐng)下,成功實(shí)現(xiàn)了工藝器件和電路設(shè)計(jì)的整套技術(shù)驗(yàn)證,向產(chǎn)業(yè)化道路邁出具有標(biāo)志性意義的關(guān)鍵一步。

      在大數(shù)據(jù)需求驅(qū)動下,存儲器芯片已是電子信息領(lǐng)域占據(jù)市場份額最大的集成電路產(chǎn)品。我國在存儲器芯片領(lǐng)域長期面臨市場需求大而自主知識產(chǎn)權(quán)和關(guān)鍵技術(shù)缺乏的困境,開展大容量存儲技術(shù)的研究和相關(guān)產(chǎn)品研制迫在眉睫。傳統(tǒng)平面型NAND存儲器在降低成本的同時(shí)面臨單元間串?dāng)_加劇和單字位成本增加等技術(shù)瓶頸。尋求存儲技術(shù)階躍性的突破和創(chuàng)新,是發(fā)展下一代存儲器的主流思路。

      3D NAND是革新性的半導(dǎo)體存儲技術(shù),通過增加存儲疊層而非縮小器件二維尺寸實(shí)現(xiàn)存儲密度增長,從而拓寬了存儲技術(shù)的發(fā)展空間,但其結(jié)構(gòu)的高度復(fù)雜性給工藝制造帶來全新的挑戰(zhàn)。經(jīng)過不懈努力,工藝團(tuán)隊(duì)攻克了高深寬比刻蝕、高選擇比刻蝕、疊層薄膜沉積、存儲層形成、金屬柵形成以及雙曝光金屬線等關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn),為實(shí)現(xiàn)多層堆疊結(jié)構(gòu)的3D NAND陣列打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

      存儲器的可靠性是影響產(chǎn)品品質(zhì)的重要一環(huán),主要評估特性包括耐久性、數(shù)據(jù)保持特性、耦合和擾動,國際上在3D NAND領(lǐng)域的公開研究結(jié)果十分有限。器件團(tuán)隊(duì)通過大量的實(shí)驗(yàn)和數(shù)據(jù)分析,尋找影響各種可靠性特性的關(guān)鍵因素,并和工藝團(tuán)隊(duì)緊密協(xié)作,完成了器件各項(xiàng)可靠性指標(biāo)的優(yōu)化,最終成功實(shí)現(xiàn)了全部可靠性參數(shù)達(dá)標(biāo)。

      在電路設(shè)計(jì)層面,堆疊三維陣列的集成研發(fā)面臨比平面型NAND更復(fù)雜的技術(shù)問題,需要結(jié)合三維器件及陣列結(jié)構(gòu)特點(diǎn)進(jìn)行分析和優(yōu)化。設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)對三維存儲結(jié)構(gòu)進(jìn)行建模,采用根據(jù)層數(shù)可調(diào)制的編程、讀取電壓配置,補(bǔ)償了器件特性隨陣列物理結(jié)構(gòu)的分布差異,降低了單元串?dāng)_影響。并且,應(yīng)用了諸多創(chuàng)新性的先進(jìn)設(shè)計(jì)技術(shù),保證了芯片達(dá)到產(chǎn)品級的功能和性能指標(biāo)。

      3D NAND存儲器芯片研發(fā)系列工作得到了國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、紫光控股、湖北省國芯投資、湖北省科投的大力支持。

     
    (文/小編)
     
    反對 0 舉報(bào) 0 收藏 0 打賞 0 評論 0
    0相關(guān)評論
    免責(zé)聲明
    本文為小編原創(chuàng)作品,作者: 小編。歡迎轉(zhuǎn)載,轉(zhuǎn)載請注明原文出處:http://www.bjhmdhb.com/news/show-22854.html 。本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn),本站未對其內(nèi)容進(jìn)行核實(shí),請讀者僅做參考,如若文中涉及有違公德、觸犯法律的內(nèi)容,一經(jīng)發(fā)現(xiàn),立即刪除,作者需自行承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任。涉及到版權(quán)或其他問題,請及時(shí)聯(lián)系我們。
     

    2B SYSTEM All Rights Reserved 本平臺由浙江到門口科技有限公司運(yùn)營與監(jiān)管

    浙ICP備17023505號-1公網(wǎng)安備浙公網(wǎng)安備33100402331026號號